、30V双扩散MOS器件及18V双扩散MOS器件 专利号：71 本发明公开了30V双扩散MOS器件及18V双扩散MOS器件,通过缩小漏区右边界到有源区右边界的距离,并缩小漏端接触孔的右边界到漏区的右边界的距离,减小了源漏间距,从而在不影响器件性能的

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